SK海力士美股ADR（SKHY）涨幅扩大至19%，延续存储与芯片股的反弹势头。作为全球最大的高带宽内存（HBM）供应商，SK海力士持续受益于AI服务器对HBM的强劲需求；其ADR近期登陆纳斯达克，为美股投资者提供了直接投资这家韩国内存巨头的渠道。

SK海力士ADR涨幅扩大至19%

SK海力士美股涨超6%。此轮上涨延续了本周以来的存储芯片行情：OpenAI新一代模型发布后，市场预期AI训练与推理对高带宽内存的需求进一步放大、存储供给趋紧，美光、英特尔等芯片股同步走高，韩股三星电子与SK海力士在前一交易日也已大幅上涨，带动韩国综合指数走强。

SK海力士美股涨超6%

SK海力士正考虑通过发行新股方式在美国上市ADR（美国存托凭证），计划筹资约80亿美元（约10-15万亿韩元），所得资金将用于扩大AI半导体（特别是HBM高带宽内存）产能。SK海力士是全球第二大内存芯片制造商，也是英伟达AI芯片HBM的核心供应商。此次赴美上市旨在缩小与竞争对手美光科技的估值差距，并加速在AI存储领域的产能布局。公司已向美国SEC秘密提交上市申请。

SK海力士拟发新股赴美上市ADR

存储芯片巨头SK海力士规模265亿美元的美国上市（纳斯达克）创下纪录，上周五在美股首日大涨13%。但周一在首尔市场，该股在获利了结及套利平仓压力下大跌约10%，拖累韩国综合股指走低。作为英伟达AI处理器所需高带宽存储（HBM）的主要供应商，SK海力士被视为检验海外上市融资需求与AI行情持续性的风向标；尽管市场对AI估值偏高存在担忧，此次发行仍获得逾7倍超额认购。

SK海力士美股首秀大涨 韩股回吐跌10%

SK海力士（000660.KS）周三盘中涨幅持续扩大，股价续创历史新高，推动SK集团整体市值突破1.3万亿美元。驱动本轮上涨的核心消息是：SK海力士计划最快于2026年7月在美国上市ADR（美国存托凭证），并同步提出约660亿美元的股东回报计划。公司凭借约60%的全球HBM（高带宽内存）市场份额，持续受益于AI算力需求爆发，HBM供不应求态势预计延续至2027至2028年，AI半导体业务已占总营收约30%。

SK海力士续创新高 拟7月赴美上市ADR

SK海力士今日登陆纳斯达克，ADR定价为每份149美元，融资约265亿美元，创下外国企业赴美上市的最大规模纪录。受此消息提振，韩国综指盘中一度上涨约5%。分析人士指出，自2023年以来大型科技公司的巨额AI支出直接流入半导体企业，推动板块盈利强劲增长；作为HBM高带宽内存龙头，SK海力士过去一年在韩股已大幅上涨，其纳斯达克首秀将检验美国市场能给予多少额外估值，并有望缩小长期困扰韩国企业的"韩国折价"。

SK海力士纳斯达克上市 融资约265亿美元

投行Needham将SK海力士（SKHY）目标价从200美元上调至220美元，上调依据主要是公司公布的股票回购计划。SK海力士是全球第二大内存芯片厂商，正受益于AI带动的高带宽内存（HBM）需求，盈利表现强劲。这一评级调整发生在存储芯片板块整体回调之际——市场在英伟达本周三盘后财报前普遍削减AI相关持仓，SK海力士韩股周二一度下跌6%。

地里快讯

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