据ZDnet报道，SK海力士计划将今年向英伟达供应的第六代高带宽内存HBM4出货量削减约20%至30%，业内猜测原因可能与英伟达Vera Rubin平台量产困难有关。SK海力士将以HBM3E及服务器级LPDDR内存填补缺口，整体内存需求并未下降。

SK海力士计划削减HBM4出货量20-30%

SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC 2026大会期间透露，SK海力士CEO将公布稳定DRAM价格的新计划。SK海力士在本届GTC上重点展示了第六代高带宽内存HBM4，该产品已进入量产阶段，专为英伟达Vera Rubin平台设计。随着AI技术演进，内存正从单纯的组件升级为决定整个AI基础设施架构和性能的核心要素。

SK海力士将公布DRAM价格稳定新计划

据韩国ChosunBiz报道，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）良率目前仍低于60%，距离量产所需的成熟良率水平仍有差距。三星计划在今年下半年将HBM4 DRAM良率提升至接近完工水平，以加快对英伟达等主要AI客户的供货速度。另一方面，三星的1c DRAM良率已超过80%，达到成熟水平。此前SK海力士也被报道计划削减今年向英伟达供应的HBM4出货量20%-30%，HBM4的产能爬坡面临挑战。

三星HBM4良率仍低于60%

SK海力士已正式启动面向英伟达的12层HBM4量产出货，产品进入产能爬坡阶段。与此前仅作为样品供应不同，此次是HBM4首次以通过全部质量认证的最终规格交付，将用于英伟达下一代AI平台“Vera Rubin”。据DigiTimes报道，SK海力士计划自今年9月起扩大HBM4出货规模，以承接英伟达高端算力芯片的供货需求。

SK海力士启动英伟达HBM4量产出货

英伟达CEO黄仁勋在访问韩国期间表示，受AI算力需求爆发推动，全球内存（尤其是用于AI加速器的高带宽内存HBM）短缺将持续数年。为保障下一代Vera Rubin平台的供应，英伟达已完成对三星、SK海力士、美光三大内存厂商的HBM4认证；SK海力士也宣布将大幅扩产DRAM以应对激增的需求。

黄仁勋警告内存短缺将持续数年

辉达执行长黄仁勋证实，SK海力士、三星电子与美光均已通过认证、可供应HBM4高带宽内存，用于下一代AI加速器Vera Rubin；该芯片预计今年秋季出货，接替Blackwell架构。

黄仁勋证实三大内存厂获认证供应HBM4

SK海力士正在积极评估是否在第七代高带宽存储HBM4E的逻辑芯片上采用台积电3nm制程，以缩小与三星电子在性能上的差距。目前SK海力士的HBM产品采用台积电5nm工艺，若升级至3nm将显著提升芯片性能和能效。不过业内分析师警告，量产时程与成本问题可能对这一计划带来较大风险。HBM是AI训练芯片的关键组件，英伟达等客户对其性能要求持续提升。

地里快讯

SK海力士计划削减HBM4出货量20-30%

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