索尼与台积电计划在日本熊本建设下一代图像传感器工厂，总投资约1万亿日元（63亿美元），目标最早于2029年量产。双方拟组建由索尼持股约60%、台积电持股约40%的合资企业，产品预计用于iPhone高性能摄像头，并面向物理AI应用提升物体识别能力。

索尼台积电拟投63亿美元建厂

索尼半导体解决方案与台积电（TSM）签署战略合作初步协议，将联合开发下一代图像传感器，并计划在日本设立新的合资公司。索尼希望借助台积电先进制程巩固其在 CMOS 图像传感器市场约 50% 的全球份额，应对手机、AI 与自动驾驶等场景对更高规格传感器的需求。

索尼台积电签战略合作 共研下代图像传感器

台积电将投资2820亿日元（约17.7亿美元），与索尼集团成立合资企业，共同开发和生产下一代图像传感器。

台积电与索尼合资开发图像传感器

外国企业对日本半导体产业的累计投资已攀升至约6万亿日元（约370亿美元）。近期索尼集团与台积电宣布合建图像传感器工厂，进一步推高了这一规模。台积电已向其在日本的两座晶圆厂投入3万亿日元，首座已于2024年量产逻辑芯片，第二座仍在建设中；美光科技上月启动广岛工厂扩建，计划投资1.5万亿日元，生产AI数据中心所需的先进存储芯片；以色列芯片厂商Tower Semiconductor也于7月宣布投资6000亿日元，量产数据中心用光通信设备芯片。

外资涌入日本芯片业 投资达370亿美元

日本存储芯片厂商铠侠（Kioxia）与合作方闪迪（SanDisk）计划在未来6年向日本工厂扩建投入超过5万亿日元，约合310亿美元。其中新建的存储芯片工厂落在岩手县北上市，单笔投资约1万亿日元（约63亿美元），目标在2029财年投入运营，预计2030年初开始出货。铠侠首席执行官表示，将把北上打造成公司主要的先进制造中心，并希望日本政府为这轮扩建支出提供约三分之一的补贴。此次扩产正值AI需求推高NAND闪存价格、供应持续偏紧之际。

铠侠闪迪拟投310亿美元扩建日本存储厂

日本存储芯片巨头铠侠计划在岩手县新建制造厂房，投资额预计将超过1万亿日元。此次扩产正值AI热潮推高存储芯片需求、供应持续偏紧之际——存储涨价已开始向智能手机等下游终端传导，成为整机厂商成本压力的重要来源。

铠侠拟投超万亿日元建岩手新厂

台积电（TSM）正加速推进在美国亚利桑那州的建厂计划，累计追加投资达1000亿美元，以把握AI芯片需求的长期增长。加码后，台积电预计将在当地再新建4座晶圆厂及先进封装厂，推动先进制程产能向美国本土转移。台积电财务长表示，AI相关需求呈现强劲的多年期增长势头，公司据此加快亚利桑那工厂的产能爬坡。这笔巨额投资也在岛内引发对台湾半导体产业空心化的担忧。

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索尼台积电拟投63亿美元建厂

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