地里快讯

中国存储芯片厂商长鑫存储正筹备进入NAND闪存市场，将与三星、SK海力士、美光以及国内的长江存储正面竞争。知情人士透露，长鑫计划在北京的新工厂建设一条NAND闪存研发生产线，并已在北京设立研究院，NAND开发是其中的项目之一。 长鑫已就闪存计划与客户展开讨论，其中包括一家新成立的初创公司，该公司拟采购长鑫的NAND芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品，但消息人士拒绝透露其名称。目前尚不清楚这条研发产线何时投入运营，也不清楚长鑫是否会从研发与试产阶段推进到大规模商业化量产。此番布局正值全球存储芯片供应持续紧张之际。