三星电子正与客户展开谈判，计划将2026年第三季度DRAM平均售价（ASP）较上一季度上调最高20%。在AI数据中心需求推动下，DRAM市场持续紧缺，价格6月已上涨约5%，第三季度涨势预计进一步扩大。此轮涨价有望提振三星、SK海力士、美光等存储芯片厂商的营收表现。

三星拟Q3上调DRAM价格最高20%

据TrendForce等机构报道，三星电子拟在2026年第三季度将DRAM合约价格上调最高20%，其中LPDDR产品涨幅可能超过20%。在AI服务器与高带宽存储（HBM）需求持续旺盛、通用存储供应紧张的背景下，存储芯片正进入新一轮涨价周期。涨价预期一度压制联想集团等PC与硬件相关个股，市场担忧下游厂商成本抬升。

三星拟三季度上调DRAM价格最高20%

受半导体需求激增推动，三星电子将芯片制造报价上调最多15%。据知情人士透露，此轮涨价反映出在AI浪潮带动下，存储芯片与代工产能持续供不应求，厂商定价能力明显增强。在高带宽内存（HBM）及AI服务器芯片需求旺盛的背景下，三星、SK海力士等存储大厂近期盈利大幅回升，此次提价有望进一步扩大三星的利润空间。

三星芯片制造报价上调最多15%

尽管AI需求让DRAM供应持续吃紧，三星电子今年下半年的内存增产速度预计仍将低于市场预期。原因在于三星把资源优先投入10nm第五代（1b）向第六代（1c）工艺的过渡，更看重良率提升而非产能扩张。这意味着新增产能释放偏慢，SK海力士有机会借势扩大份额，短期内存价格的上行压力也难以缓解。

三星DRAM下半年增产或低于预期

调研机构群智咨询发布的存储价格风向标显示，2026年第三季度全球存储市场供需依旧紧缺，DRAM与NAND Flash全品类价格继续环比上行，但涨幅较第二季度明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到10%以内。韩国方面的最新数据也印证了这一趋势：8月DRAM与NAND现货价格再创历史新高，但上涨动能正在减弱，市场普遍认为价格已逼近阶段性高位。

存储芯片Q3涨价明显放缓

Counterpoint Research数据显示，三星电子以39%的份额重回2026年第二季度全球DRAM市场第一。SK海力士份额降至26%，美光则升至25%，与第二名差距明显缩小。AI需求持续推动存储市场竞争升温。

三星重夺全球DRAM市场第一

据CFM闪存市场数据，2026年Q1全球DRAM与NAND市场规模合计达1371.4亿美元，环比增长81.6%、同比暴涨245%，再创历史季度新高，AI数据中心需求与供需错配推动合约价格大幅上行。DRAM厂商份额排名：三星销售收入382亿美元、市占40.5%继续领跑；SK海力士279亿美元、市占29.6%居次（因HBM占比高总收入增速62%落后于同业）；美光188亿美元、市占19.9%排第三；中国长鑫存储销售73亿美元、市占升至7.7%排名第四，环比增速达115%居各厂之首。

地里快讯

三星拟Q3上调DRAM价格最高20%

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