Counterpoint Research数据显示，三星电子以39%的份额重回2026年第二季度全球DRAM市场第一。SK海力士份额降至26%，美光则升至25%，与第二名差距明显缩小。AI需求持续推动存储市场竞争升温。

三星重夺全球DRAM市场第一

据CFM闪存市场数据，2026年Q1全球DRAM与NAND市场规模合计达1371.4亿美元，环比增长81.6%、同比暴涨245%，再创历史季度新高，AI数据中心需求与供需错配推动合约价格大幅上行。DRAM厂商份额排名：三星销售收入382亿美元、市占40.5%继续领跑；SK海力士279亿美元、市占29.6%居次（因HBM占比高总收入增速62%落后于同业）；美光188亿美元、市占19.9%排第三；中国长鑫存储销售73亿美元、市占升至7.7%排名第四，环比增速达115%居各厂之首。

Q1全球DRAM创新高 长鑫份额升至7.7%

受AI热潮推动，存储芯片市场正处于超级周期，但SK海力士的DRAM市场份额反而在下滑。据市场研究机构TrendForce最新数据，SK海力士第二季度DRAM营收环比增长37.9%至385.9亿美元，市场份额却从28.8%下降3.9个百分点至24.9%。

份额下滑并非因为产品卖得不好，而是其产品组合中高带宽内存（HBM）占比过高，以及与三星电子在产量上存在差异。三星电子以39.4%的份额位居榜首，美光科技则以23.3%的份额将与SK海力士的差距缩小至1.6个百分点。

SK海力士DRAM份额降至24.9%

三星电子正与客户展开谈判，计划将2026年第三季度DRAM平均售价（ASP）较上一季度上调最高20%。在AI数据中心需求推动下，DRAM市场持续紧缺，价格6月已上涨约5%，第三季度涨势预计进一步扩大。此轮涨价有望提振三星、SK海力士、美光等存储芯片厂商的营收表现。

三星拟Q3上调DRAM价格最高20%

尽管AI需求让DRAM供应持续吃紧，三星电子今年下半年的内存增产速度预计仍将低于市场预期。原因在于三星把资源优先投入10nm第五代（1b）向第六代（1c）工艺的过渡，更看重良率提升而非产能扩张。这意味着新增产能释放偏慢，SK海力士有机会借势扩大份额，短期内存价格的上行压力也难以缓解。

三星DRAM下半年增产或低于预期

中国存储芯片厂商长鑫存储2026年第二季度息税前利润率达到82%，超过SK海力士的76%和三星电子半导体业务的70%，成为当期全球盈利能力最强的存储芯片企业，数据来自QUICK FactSet。同期长鑫存储营收同比增长约10倍，在长鑫、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家厂商中增速居首。分析认为这与本轮存储供需变化直接相关：三星、SK海力士和美光把更多产能转向AI服务器所需的高带宽内存，导致普通DRAM供应趋紧、DDR5价格大幅上涨，主攻标准DRAM的长鑫由此受益。

长鑫存储利润率82% 反超三星海力士

集邦咨询（TrendForce）最新存储器产业研究显示，2026年第二季全球DRAM产业营收环比大增59.5%，达到约1547.3亿美元，主要由一般型DRAM合约价的显著上涨推动。需求端，大模型训练与AI推理持续拉动AI服务器需求，HBM3e、LPDDR5X与高容量RDIMM出货同步增长，Agentic AI应用则带动各容量规格RDIMM的拉货。供给端，原厂库存已处于谷底，新增产能优先满足服务器客户，第二季整体DRAM位元出货量仅小幅增长，供给扩张速度仍明显落后于需求。

地里快讯

三星重夺全球DRAM市场第一

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