SK电讯（NYSE: SKM）宣布向SK海力士旗下NAND解决方案子公司SKHNPS投资约4.8亿美元（约合7380亿韩元），作为集团AI战略布局的重要举措。SKHNPS专注于面向AI数据中心的企业级NAND存储解决方案，此次战略入股将进一步强化SK集团旗下电信与存储芯片业务的协同效应。

SK电讯约5亿美元入股海力士NAND

SK海力士正考虑通过发行新股方式在美国上市ADR（美国存托凭证），计划筹资约80亿美元（约10-15万亿韩元），所得资金将用于扩大AI半导体（特别是HBM高带宽内存）产能。SK海力士是全球第二大内存芯片制造商，也是英伟达AI芯片HBM的核心供应商。此次赴美上市旨在缩小与竞争对手美光科技的估值差距，并加速在AI存储领域的产能布局。公司已向美国SEC秘密提交上市申请。

SK海力士拟发新股赴美上市ADR

SK海力士美股ADR（SKHY）涨幅扩大至19%，延续存储与芯片股的反弹势头。作为全球最大的高带宽内存（HBM）供应商，SK海力士持续受益于AI服务器对HBM的强劲需求；其ADR近期登陆纳斯达克，为美股投资者提供了直接投资这家韩国内存巨头的渠道。

SK海力士ADR涨幅扩大至19%

韩国存储芯片巨头SK海力士已正式提交在美国纳斯达克上市申请，目标募资规模约290亿美元，发行价约每股166美元。此次赴美上市正值AI带动高带宽内存（HBM）等存储芯片需求激增、公司股价年内大涨之际，若成功落地将成为近期规模最大的科技IPO之一。

SK海力士申请纳斯达克上市 拟募资290亿美元

SK海力士（SK Hynix）正式推进赴美上市计划，拟通过发行美国存托凭证（ADR）于7月10日登陆纳斯达克，融资规模逾296亿美元，有望跻身历史上规模前三大IPO行列。消息确认后，SK海力士韩国股票今日早盘大涨约12%，带动韩国KOSPI整体走强。此次上市旨在拓宽美国资本市场融资渠道，支持其高带宽内存（HBM）芯片业务持续扩张。

SK海力士赴纳斯达克上市 早盘大涨12%

韩国存储芯片巨头SK海力士（SK Hynix）已完成美国存托凭证（ADR）发行申报，拟以代码「SKHY」登陆纳斯达克，募资规模约290亿美元，为近期全球最大科技上市案之一。此次上市预计于7月14日完成结算。在AI数据中心带动的存储芯片需求推动下，公司借此登陆华尔街寻求更高估值。知情人士称，韩国政府正为随之而来的巨额外汇流入做准备，海力士预计将提前通过远期市场进行对冲。

SK海力士拟290亿美元登陆纳斯达克

为应对人工智能带来的存储需求激增，SK海力士今年上半年大幅加码投资。据其半年度报告（合并口径），上半年用于购置有形资产的现金支出达18.33万亿韩元，较去年同期的10.62万亿韩元增长约72.7%；研发投入亦增至6.04万亿韩元，同比增长98.4%，其中5.82万亿韩元用于持续开发成本。随着AI专用高带宽内存（HBM）、服务器DRAM及企业级固态硬盘（SSD）需求持续攀升，SK海力士正加快扩充生产设施。

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SK电讯约5亿美元入股海力士NAND

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