存储芯片大厂威刚科技董事长陈立白预警，2026年第三季度DRAM内存合约价将再上涨20%至30%，NAND闪存涨幅更达35%至40%。各大内存原厂已发出涨价通知，AI需求持续挤占消费级供给，推动存储价格延续上行趋势，公司经营业绩有望持续受益。

威刚预警Q3内存闪存续涨

据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查，2026年第三季DRAM市场持续极度紧缺，但受消费级需求下修及高基期影响，合约价涨幅收敛至季增13%-18%。NAND Flash需求仍主要由AI推理与大型数据中心建设支撑，不过合约价已达历史高点、消费端客户承受力见顶，预计Q3合约价季增10%-15%，涨幅较前几季明显收窄。

存储器Q3合约价预计涨13-18%

调研机构群智咨询发布的存储价格风向标显示，2026年第三季度全球存储市场供需依旧紧缺，DRAM与NAND Flash全品类价格继续环比上行，但涨幅较第二季度明显放缓，部分存储芯片的环比涨幅已收窄到10%以内。韩国方面的最新数据也印证了这一趋势：8月DRAM与NAND现货价格再创历史新高，但上涨动能正在减弱，市场普遍认为价格已逼近阶段性高位。

存储芯片Q3涨价明显放缓

瑞银证券中国科技行业研究主管俞佳在8月27日的半导体行业媒体分享会上表示，存储芯片紧缺还将持续较长时间：DRAM供应紧张状态至少延续到2028年二季度，NAND在2027年四季度之前也将维持相对紧缺。价格方面，预计2027年DRAM价格同比上涨40%以上，NAND涨幅超过30%。AI数据中心的巨量内存需求是主要推手，云厂商资本开支正越来越多地流向DRAM和NAND，PC、手机等消费电子的内存成本也随之走高。

瑞银：明年DRAM价格将涨超40%

据TrendForce等机构报道，三星电子拟在2026年第三季度将DRAM合约价格上调最高20%，其中LPDDR产品涨幅可能超过20%。在AI服务器与高带宽存储（HBM）需求持续旺盛、通用存储供应紧张的背景下，存储芯片正进入新一轮涨价周期。涨价预期一度压制联想集团等PC与硬件相关个股，市场担忧下游厂商成本抬升。

三星拟三季度上调DRAM价格最高20%

三星电子正与客户展开谈判，计划将2026年第三季度DRAM平均售价（ASP）较上一季度上调最高20%。在AI数据中心需求推动下，DRAM市场持续紧缺，价格6月已上涨约5%，第三季度涨势预计进一步扩大。此轮涨价有望提振三星、SK海力士、美光等存储芯片厂商的营收表现。

三星拟Q3上调DRAM价格最高20%

瑞银最新行业调研上调2026下半年存储芯片价格预期。DDR合约价预计2026年三季度环比上涨32%（原预期17%）、四季度上涨18%（原12%），此前二季度已大涨67%；NAND三季度预计上涨30%、四季度上涨12%。瑞银判断DRAM供需紧张将至少延续至2028年上半年——2027年需求增长约36.2%，远超供给增长的19.3%，供需缺口将从2026年的-8.1%扩大至-13.6%，为近30年罕见。行业收入预计从2026年的9920亿美元升至2027年的1.76万亿美元。主要风险在于下游大型云厂商的承受力，其或需持续通过资本市场融资以支撑投资支出。

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威刚预警Q3内存闪存续涨

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