长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台已正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距缩小至11.95纳米，存储电容深宽比提升至45:1，存储密度大幅提高，同等条件下单张晶圆产出较上一代提升50%以上。 基于该平台的24GB LPDDR5X已进入量产阶段，开始供应国产主流旗舰手机。此前有报道称，长鑫还计划在全球存储芯片供应紧张之际切入NAND闪存市场。
