存储芯片厂商铠侠（Kioxia）与闪迪（SNDK）宣布，已在日本北上（Kitakami）工厂Fab2启动第十代3D闪存产品（BiCS10）的量产。该系列面向AI数据中心对更高密度存储的旺盛需求，被视为铠侠在AI存储浪潮中加速崛起的关键一步。

铠侠与闪迪投产第十代3D闪存

铠侠（Kioxia）已开始向AI数据中心运营商交付新一代3D闪存芯片样品，正式送样第十代BiCS FLASH产品。该芯片采用332层堆叠结构，在存储密度、数据传输速度和能效上大幅提升，主要用于面向数据中心的固态硬盘（SSD），以满足AI算力对高密度存储的快速增长需求。新品将在日本岩手县北上工厂的新设施投产，公司同时扩产第九代产品，力争在这一高利润存储市场与竞争对手争夺份额。

铠侠向AI数据中心送样新一代闪存

日本存储芯片厂商铠侠（Kioxia）社长太田裕雄在业绩说明会上表示，公司已启动在北上工厂新建厂房的评估工作，新厂计划于2029至2030年后投产，以应对旺盛的存储需求。铠侠的NAND闪存目前由四日市与北上两座工厂生产，北上工厂现阶段已建成两座厂房。在AI与云计算推动闪存需求激增的背景下，铠侠正加快扩产步伐——据TrendForce，铠侠与闪迪（SanDisk）的资本开支同比增长约40%，并在与三星、SK海力士的存储竞赛中押注晶圆键合（wafer-bonding）等新技术。

铠侠评估北上新厂扩产 应对AI存储需求

日本存储芯片厂商铠侠（Kioxia）与合作方闪迪（SanDisk）计划在未来6年向日本工厂扩建投入超过5万亿日元，约合310亿美元。其中新建的存储芯片工厂落在岩手县北上市，单笔投资约1万亿日元（约63亿美元），目标在2029财年投入运营，预计2030年初开始出货。铠侠首席执行官表示，将把北上打造成公司主要的先进制造中心，并希望日本政府为这轮扩建支出提供约三分之一的补贴。此次扩产正值AI需求推高NAND闪存价格、供应持续偏紧之际。

铠侠闪迪拟投310亿美元扩建日本存储厂

铠侠（Kioxia）将于2027年量产第十代BiCS FLASH，较此前披露的2026年量产计划有所推迟，详细投资细节预计在2026年下半年明朗。BiCS10采用332层单元堆栈，较现款218层（BiCS8）增加约52%，密度提升高达59%；搭配Toggle DDR 6.0接口，I/O传输速率由3.6Gbps提升至4.8Gbps（增幅约33%），输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，标准TLC模式下单颗容量可达2Tb。此举瞄准三星、SK海力士在高层堆栈NAND上的领先地位。

铠侠2027年量产第十代BiCS NAND闪存

日本存储芯片厂商铠侠（Kioxia）正考虑在美国上市，募资规模最高可达100亿美元。据市场消息，铠侠已与美国银行、高盛和摩根大通等投行接洽，寻求在美国市场获得更多流动性支持。铠侠是全球主要的NAND闪存供应商，此举正值AI需求推动存储芯片进入超级周期、行业资本开支大幅扩张之际。

铠侠拟赴美上市 募资100亿美元

应用材料（AMAT）宣布，日本存储芯片厂商铠侠（Kioxia）已作为创新合作伙伴加入其EPIC中心（设备与工艺创新及商业化中心），双方将联合推进下一代存储技术研发。合作方向包括先进存储单元与结构成形、多芯片堆叠架构，以及新型材料工程方法，目标是提升AI时代所需的存储密度与性能。EPIC中心是应用材料投入约50亿美元打造的研发协作平台；随着铠侠加入，全球主要存储大厂已悉数成为该中心的合作方。

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铠侠与闪迪投产第十代3D闪存

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