地里快讯

铠侠（Kioxia）将于2027年量产第十代BiCS FLASH，较此前披露的2026年量产计划有所推迟，详细投资细节预计在2026年下半年明朗。BiCS10采用332层单元堆栈，较现款218层（BiCS8）增加约52%，密度提升高达59%；搭配Toggle DDR 6.0接口，I/O传输速率由3.6Gbps提升至4.8Gbps（增幅约33%），输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，标准TLC模式下单颗容量可达2Tb。 此举瞄准三星、SK海力士在高层堆栈NAND上的领先地位。