三星电子已在西安工厂完成工艺升级，淘汰传统128层NAND闪存，正式量产236层（V8）产品。据Digitimes报道，此次升级是三星应对AI应用驱动的高端存储需求的关键一步。三星计划年内进一步过渡至286层（V9）NAND闪存，持续提升存储密度和性能。

三星西安工厂量产236层NAND闪存

据韩国半导体专业媒体The Elec报道，SK海力士已完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的产线验证，计划通过现有工厂改造升级，于2026年底前实现大规模量产，正面挑战三星在超高堆叠技术上的领先地位。此次技术迭代的核心亮点是材料革新：部分字线将由传统钨替换为钼，以缓解高层数堆叠带来的电阻升高和性能瓶颈问题。随着3D NAND向600层以上演进，钼材料有望成为超高堆叠时代的关键技术方向。

SK海力士375层NAND年底量产 钼取代钨

三星电子在FMS大会展示V10 Bonding V-NAND原型，采用超过400层结构和晶圆键合架构，存储密度较V9 NAND提高约58%。公司还公布zHBM概念，通过把内存垂直堆叠在AI加速器上缩短数据传输距离；三星称相关技术有望达到传统HBM5逾10倍的存储密度、3倍能效，并将热阻降低一半以上。

三星展示新一代AI内存

三星电子正与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出一种"物理信息神经算子"模型，能够以超过现有模型万倍的速度分析铁电基NAND设备性能。基于这一突破，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存技术。铁电NAND有望解决传统NAND闪存在密度提升和能耗方面的瓶颈，被视为下一代存储技术的重要方向。

三星与英伟达合作研发下一代NAND闪存

铠侠（Kioxia）将于2027年量产第十代BiCS FLASH，较此前披露的2026年量产计划有所推迟，详细投资细节预计在2026年下半年明朗。BiCS10采用332层单元堆栈，较现款218层（BiCS8）增加约52%，密度提升高达59%；搭配Toggle DDR 6.0接口，I/O传输速率由3.6Gbps提升至4.8Gbps（增幅约33%），输入功耗降低10%、输出功耗降低34%，标准TLC模式下单颗容量可达2Tb。此举瞄准三星、SK海力士在高层堆栈NAND上的领先地位。

铠侠2027年量产第十代BiCS NAND闪存

尽管AI需求让DRAM供应持续吃紧，三星电子今年下半年的内存增产速度预计仍将低于市场预期。原因在于三星把资源优先投入10nm第五代（1b）向第六代（1c）工艺的过渡，更看重良率提升而非产能扩张。这意味着新增产能释放偏慢，SK海力士有机会借势扩大份额，短期内存价格的上行压力也难以缓解。

三星DRAM下半年增产或低于预期

三星电子宣布已向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，巩固其在下一代HBM市场的领先地位。HBM4E单颗容量提升至48GB（较上一代增加超30%），引脚速率稳定在14Gbps、最高可扩展至16Gbps（较HBM4提升超20%），每堆栈带宽最高达3.6TB/s，专为大语言模型与AI数据中心负载设计。该产品采用三星第6代10nm级DRAM（1c）工艺与4nm逻辑基础芯片，能效较上一代提升16%、热阻特性改善逾14%。三星计划在样品验证后按客户排期推进量产，同时规划推出32GB（8层）与64GB（16层）版本。

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三星西安工厂量产236层NAND闪存

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