地里快讯

三星电子在FMS大会展示V10 Bonding V-NAND原型，采用超过400层结构和晶圆键合架构，存储密度较V9 NAND提高约58%。公司还公布zHBM概念，通过把内存垂直堆叠在AI加速器上缩短数据传输距离；三星称相关技术有望达到传统HBM5逾10倍的存储密度、3倍能效，并将热阻降低一半以上。