地里快讯

三星电子在Computex首次公开HBM5存储芯片，将采用自研2nm工艺，预计2028年前后量产。三星同时披露HBM5将引入铜基HPB（Heat Path Block）封装内散热结构——其导热效率较传统基板/DAF/EMC等聚合物基材料高出约500至1000倍，意在攻克下一代AI芯片的热管理瓶颈，加剧与SK海力士在英伟达下一代HBM订单上的争夺。