地里快讯

三星电子正加速推进下一代高带宽内存HBM4E的研发，计划最早于2026年5月生产出首批样品，并在内部验证后交付英伟达。三星目标是在5月中旬前让代工部门完成HBM4E核心逻辑芯片样品的生产，以争夺AI芯片高端内存市场份额。 HBM4E是当前HBM4的增强版，专为下一代AI加速器设计，在带宽和能效方面进一步提升。