SK海力士宣布已向英伟达等主要客户率先交付12层HBM4E样品，较原计划提前，在与三星的AI存储竞赛中进一步扩大领先。HBM4E是专为AI工作负载优化的下一代高带宽存储芯片，引脚速率最高达16Gbps，能效较前代提升20%以上，可显著加速大模型训练与推理所需的数据吞吐。

SK海力士率先交付HBM4E样品 领先三星

三星电子正加速推进下一代高带宽内存HBM4E的研发，计划最早于2026年5月生产出首批样品，并在内部验证后交付英伟达。三星目标是在5月中旬前让代工部门完成HBM4E核心逻辑芯片样品的生产，以争夺AI芯片高端内存市场份额。HBM4E是当前HBM4的增强版，专为下一代AI加速器设计，在带宽和能效方面进一步提升。

三星加速HBM4E研发 拟5月向英伟达交付样品

三星电子宣布已向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，巩固其在下一代HBM市场的领先地位。HBM4E单颗容量提升至48GB（较上一代增加超30%），引脚速率稳定在14Gbps、最高可扩展至16Gbps（较HBM4提升超20%），每堆栈带宽最高达3.6TB/s，专为大语言模型与AI数据中心负载设计。该产品采用三星第6代10nm级DRAM（1c）工艺与4nm逻辑基础芯片，能效较上一代提升16%、热阻特性改善逾14%。三星计划在样品验证后按客户排期推进量产，同时规划推出32GB（8层）与64GB（16层）版本。

三星启动业界首款12层HBM4E样品出货

三星电子全球率先量产的第六代高带宽内存HBM4销售额已突破10亿美元，距今年2月12日首批出货仅4个多月。预计截至6月底，HBM4累计销售额将进一步突破12亿美元。HBM4是专为AI训练与推理加速设计的高性能存储芯片，三星凭借率先量产的先发优势正加速抢占高端存储市场份额。

三星HBM4量产4月销售破10亿美元

三星电子正按照英伟达的要求，开发8层堆叠的第七代高带宽存储器HBM4E，用于英伟达定制的NVHBM方案。相比原先规划的12层、16层堆叠，8层设计显著降低了堆叠高度。英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，比三星早期HBM4E样品的14.4Gbps高出约20%。韩媒认为，三星已在NVHBM供应上取得先发优势。英伟达此前介绍，NVHBM相较通用HBM4E可提供约30%更高带宽和15%更低功耗。

三星为英伟达开发8层HBM4E

SK海力士正在积极评估是否在第七代高带宽存储HBM4E的逻辑芯片上采用台积电3nm制程，以缩小与三星电子在性能上的差距。目前SK海力士的HBM产品采用台积电5nm工艺，若升级至3nm将显著提升芯片性能和能效。不过业内分析师警告，量产时程与成本问题可能对这一计划带来较大风险。HBM是AI训练芯片的关键组件，英伟达等客户对其性能要求持续提升。

SK海力士考虑采用台积电3nm制造HBM4E

据韩国ChosunBiz报道，三星电子第六代高带宽内存（HBM4）良率目前仍低于60%，距离量产所需的成熟良率水平仍有差距。三星计划在今年下半年将HBM4 DRAM良率提升至接近完工水平，以加快对英伟达等主要AI客户的供货速度。另一方面，三星的1c DRAM良率已超过80%，达到成熟水平。此前SK海力士也被报道计划削减今年向英伟达供应的HBM4出货量20%-30%，HBM4的产能爬坡面临挑战。

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