三星电子正按照英伟达的要求，开发8层堆叠的第七代高带宽存储器HBM4E，用于英伟达定制的NVHBM方案。相比原先规划的12层、16层堆叠，8层设计显著降低了堆叠高度。英伟达提出的速度规格为17-18Gbps，比三星早期HBM4E样品的14.4Gbps高出约20%。韩媒认为，三星已在NVHBM供应上取得先发优势。英伟达此前介绍，NVHBM相较通用HBM4E可提供约30%更高带宽和15%更低功耗。
