地里快讯

三星电子宣布已向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，巩固其在下一代HBM市场的领先地位。HBM4E单颗容量提升至48GB（较上一代增加超30%），引脚速率稳定在14Gbps、最高可扩展至16Gbps（较HBM4提升超20%），每堆栈带宽最高达3.6TB/s，专为大语言模型与AI数据中心负载设计。 该产品采用三星第6代10nm级DRAM（1c）工艺与4nm逻辑基础芯片，能效较上一代提升16%、热阻特性改善逾14%。三星计划在样品验证后按客户排期推进量产，同时规划推出32GB（8层）与64GB（16层）版本。