美光科技财报电话会披露，HBM4（12层）产品量产爬坡速度已是HBM3E同规格版本的两倍，累计HBM4营收已突破10亿美元。公司同时透露，下一代DRAM与NAND节点研发进展顺利，预计2027年下半年启动量产，持续扩大AI存储市场的技术领先优势。

美光HBM4营收突破10亿美元 量产速度倍增

美光计划在今年年底前投入大规模设备采购，集中提升最新一代HBM4 12层堆叠产品的供应能力。据业界消息，美光将在年底前新增最多6万片/月的HBM晶圆产能，使月产能推高至约10万片。去年美光HBM月产能约为4万至5万片，以此计算，此次扩产将使其产能达到去年的两倍以上。这轮扩产的直接目标是缩小与SK海力士、三星在AI内存市场的产能差距。

美光年底前HBM产能将翻倍

三星电子全球率先量产的第六代高带宽内存HBM4销售额已突破10亿美元，距今年2月12日首批出货仅4个多月。预计截至6月底，HBM4累计销售额将进一步突破12亿美元。HBM4是专为AI训练与推理加速设计的高性能存储芯片，三星凭借率先量产的先发优势正加速抢占高端存储市场份额。

三星HBM4量产4月销售破10亿美元

受AI需求激增与产能结构性瓶颈影响，下一代高带宽内存HBM4价格在2026年下半年可能从每千比特2美元涨至4-5美元甚至更高，接近翻倍。HBM4制造工艺极为复杂，生产周期长达四至六个月且初期良率偏低；同时其单位内存耗用的晶圆容量约为标准DDR5的三倍，严重限制了厂商在现有产线上的总产能。在当前AI热潮下，全球约半数DRAM产能已被大型厂商锁定，供需紧张料将持续。

HBM4价格明年下半年或翻倍上涨

美光（MU）在最新展望中指出，高带宽内存（HBM）、动态随机存取存储器（DRAM）与闪存（NAND）的供应紧张将延续至2026日历年之后。受AI需求驱动，花旗近期已将美光目标价上调至840美元，并预计HBM价格在明年还将进一步上涨，市场认为存储芯片正进入新一轮超级周期。

美光警示HBM/DRAM紧张延续至2026后

三星电子宣布已向主要全球客户出货业界首款12层HBM4E样品，巩固其在下一代HBM市场的领先地位。HBM4E单颗容量提升至48GB（较上一代增加超30%），引脚速率稳定在14Gbps、最高可扩展至16Gbps（较HBM4提升超20%），每堆栈带宽最高达3.6TB/s，专为大语言模型与AI数据中心负载设计。该产品采用三星第6代10nm级DRAM（1c）工艺与4nm逻辑基础芯片，能效较上一代提升16%、热阻特性改善逾14%。三星计划在样品验证后按客户排期推进量产，同时规划推出32GB（8层）与64GB（16层）版本。

三星启动业界首款12层HBM4E样品出货

美光科技（MU）2026财年第四季度营收542.29亿美元，高于市场预期的505.84亿美元，去年同期为113.15亿美元；当季净利润377.01亿美元，去年同期仅32.01亿美元，也超出市场预期的301.59亿美元。

公司表示第四季度及2026全财年的营收与利润均创历史新高。AI 服务器对高带宽内存（HBM）的需求是这轮增长的主要推力，市场关注焦点已转向管理层对下一阶段存储周期的指引。

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