地里快讯

SK海力士正在积极评估是否在第七代高带宽存储HBM4E的逻辑芯片上采用台积电3nm制程，以缩小与三星电子在性能上的差距。目前SK海力士的HBM产品采用台积电5nm工艺，若升级至3nm将显著提升芯片性能和能效。 不过业内分析师警告，量产时程与成本问题可能对这一计划带来较大风险。HBM是AI训练芯片的关键组件，英伟达等客户对其性能要求持续提升。