地里快讯

SK海力士在2026年Hot Chips大会上公开了下一代HBM的封装路线图。公司封装工程副总裁Jaesik Lee在题为《高带宽内存的先进封装》的报告中表示，SK海力士正引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术来加速HBM产品迭代，并已在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方案，以突破当前16层堆叠的物理上限，最终目标是进入3D封装时代。 针对堆叠层数上升带来的功耗挑战，SK海力士计划增加TSV数量、提升逻辑工艺集成的IO速度，并优化电源分配网络（PDN）。同场会议上，三星、美光也各自披露了HBM与3D堆叠方向的进展。