三星电子半导体研究所所长在6月30日的内部经营说明会上透露，第七代AI内存HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上，标志着其开发正式进入稳定阶段（业界通常将80%视为工艺成熟门槛）。与此同时，三星下一代10纳米级第七代DRAM工艺（D1d）在技术竞争力上已取得对竞争对手的领先优势，并计划于今年11月完成生产准备认证（PRA）。三星正加速缩小与SK海力士在AI内存领域的差距。
