地里快讯

三星电子有望率先完成第七代10纳米级（1d）DRAM内存研发，进度领先竞争对手SK海力士约一个季度。据行业消息，三星将研发完成时间锁定在2026年9月，SK海力士则瞄准2026年12月。 按规划，三星计划于2026年底进入量产转移阶段，2027年上半年启动产线建设，力争2027年底实现首批量产。1d DRAM是高带宽内存（HBM）与AI服务器内存的关键技术节点，在AI芯片需求推动内存供应持续紧张的背景下，先进制程的研发进度已成为存储大厂争夺市场的焦点。