SK海力士正加速第六代10nm级DRAM工艺（1c nm）的产能转换。该工艺生产的DRAM将作为核心芯片用于HBM堆叠，支撑下一代高带宽内存产品。业内数据显示，1c DRAM的份额已从今年一季度的约10%升至二季度的13%左右，预计三季度达到24%左右，四季度进一步升至34%左右。到2027年一季度，1c nm份额有望攀升至35%左右，首次超过1b工艺的33%，成为公司主流制程。这一转换节奏被视为其为HBM4E世代竞争提前铺路。
