地里快讯

三星电子正与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队，成功开发出一种"物理信息神经算子"模型，能够以超过现有模型万倍的速度分析铁电基NAND设备性能。 基于这一突破，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存技术。铁电NAND有望解决传统NAND闪存在密度提升和能耗方面的瓶颈，被视为下一代存储技术的重要方向。