地里快讯

据韩国半导体专业媒体The Elec报道，SK海力士已完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的产线验证，计划通过现有工厂改造升级，于2026年底前实现大规模量产，正面挑战三星在超高堆叠技术上的领先地位。此次技术迭代的核心亮点是材料革新：部分字线将由传统钨替换为钼，以缓解高层数堆叠带来的电阻升高和性能瓶颈问题。 随着3D NAND向600层以上演进，钼材料有望成为超高堆叠时代的关键技术方向。