SK集团董事长崔泰源宣布，SK海力士计划在2034年前将晶圆产能扩大至三倍，以应对AI驱动下内存芯片需求持续攀升。消息公布后，SK海力士股价一度明显反弹。日经亚洲报道指出，此举是全球内存行业迎接AI算力扩张的重要信号。

SK海力士2034年前产能扩三倍

SK 集团会长崔泰源 6 月 2 日表示，SK 海力士计划在未来五年内将晶圆产能翻番，以应对 AI 驱动下的存储芯片需求爆发，并警告存储芯片产能瓶颈问题可能持续至 2030 年。据 Reuters 与 Nikkei Asia 报道，SK 海力士正争取成为英伟达下一代 Vera Rubin 平台的主要 HBM 供应商，同时计划深化与中国台湾半导体产业链的合作。

SK海力士拟五年内晶圆产能翻番 应对AI需求

SK海力士首席执行官郭鲁正表示，公司对进一步投资美国半导体产业持开放态度，但尚未做出任何决定，正在全球范围内为研发和测试需求寻找潜在选址，电力、水资源和政府激励措施是关键考量因素。他同时预测全球内存芯片短缺将持续到2030年底，并淡化了业界对供应过剩的担忧，称AI带来的定制化需求正在重塑行业周期。SK海力士位于印第安纳州的首座美国工厂已开工建设，投资约40亿美元，计划2029年开始生产AI相关芯片，并在2030年成为其重要的内存生产基地。

SK海力士：内存短缺将持续到2030年底

SK集团会长崔泰源与台积电董事长魏哲家会面，双方同意在高带宽内存（HBM）开发与先进封装领域深化合作，进一步强化AI半导体联盟。SK海力士计划大幅扩充存储产能以应对AI芯片需求，崔泰源表示存储芯片短缺局面或将持续至2030年。

SK集团与台积电深化HBM合作 强化AI芯片联盟

为应对人工智能带来的存储需求激增，SK海力士今年上半年大幅加码投资。据其半年度报告（合并口径），上半年用于购置有形资产的现金支出达18.33万亿韩元，较去年同期的10.62万亿韩元增长约72.7%；研发投入亦增至6.04万亿韩元，同比增长98.4%，其中5.82万亿韩元用于持续开发成本。随着AI专用高带宽内存（HBM）、服务器DRAM及企业级固态硬盘（SSD）需求持续攀升，SK海力士正加快扩充生产设施。

SK海力士上半年资本开支增73% 押注AI存储

SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC 2026大会期间透露，SK海力士CEO将公布稳定DRAM价格的新计划。SK海力士在本届GTC上重点展示了第六代高带宽内存HBM4，该产品已进入量产阶段，专为英伟达Vera Rubin平台设计。随着AI技术演进，内存正从单纯的组件升级为决定整个AI基础设施架构和性能的核心要素。

SK海力士将公布DRAM价格稳定新计划

SK海力士在美国挂牌上市首日大涨13%，发行规模达265亿美元创历史纪录。公司高层称AI驱动的内存短缺将持续至2030年后，供需紧张料延续至2028年，并考虑以“内存即服务”方式创新销售。

地里快讯

SK海力士2034年前产能扩三倍

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