英伟达CEO黄仁勋表示，三星、SK海力士、美光三家内存制造商均已通过英伟达HBM4高带宽内存的供应资格认证。配合下一代Vera Rubin AI平台进入量产，三家厂商将共同为其供货，标志着英伟达在AI芯片关键的HBM内存环节确立了多供应商格局。

黄仁勋：三家内存厂商均获HBM4供应资格

辉达执行长黄仁勋证实，SK海力士、三星电子与美光均已通过认证、可供应HBM4高带宽内存，用于下一代AI加速器Vera Rubin；该芯片预计今年秋季出货，接替Blackwell架构。

黄仁勋证实三大内存厂获认证供应HBM4

英伟达CEO黄仁勋在访问韩国期间表示，受AI算力需求爆发推动，全球内存（尤其是用于AI加速器的高带宽内存HBM）短缺将持续数年。为保障下一代Vera Rubin平台的供应，英伟达已完成对三星、SK海力士、美光三大内存厂商的HBM4认证；SK海力士也宣布将大幅扩产DRAM以应对激增的需求。

黄仁勋警告内存短缺将持续数年

英伟达与SK海力士宣布达成多年期技术合作，共同为AI工厂打造新一代内存。双方将深化高带宽内存（HBM）及定制存储产品的研发，以支撑英伟达下一代Vera Rubin等AI算力平台，加速万亿参数大模型的训练与推理。黄仁勋此前在访韩期间警告，受AI算力需求爆发推动，全球内存（尤其是HBM）短缺或将持续数年。

英伟达与SK海力士达成多年内存合作

三星电子正加速推进下一代高带宽内存HBM4E的研发，计划最早于2026年5月生产出首批样品，并在内部验证后交付英伟达。三星目标是在5月中旬前让代工部门完成HBM4E核心逻辑芯片样品的生产，以争夺AI芯片高端内存市场份额。HBM4E是当前HBM4的增强版，专为下一代AI加速器设计，在带宽和能效方面进一步提升。

三星加速HBM4E研发 拟5月向英伟达交付样品

三星电子芯片部门负责人证实，已与英伟达（NVDA）CEO黄仁勋就下一代芯片代工与高带宽内存（HBM）展开广泛洽谈。短期合作聚焦HBM4供应与代工订单，长期则涵盖HBM4E、HBM5及代工业务等未来技术；双方还就4nm、8nm节点的自动驾驶芯片以及英伟达加速器芯片代工进行协商。在AI算力需求爆发、HBM持续紧缺的背景下，此举有望为正力推2nm先进制程的三星代工业务带来关键订单。

三星英伟达深化合作 涵盖代工与HBM

据集邦咨询（TrendForce）调研，英伟达已决定将下一代Vera Rubin超级芯片所搭载的SOCAMM内存模组单颗容量砍半。此举并非削减整体内存需求，而是为应对2027年供应端产能不足——英伟达转而通过降低单颗容量、增加模组出货数量来保住市场份额。报告指出，三星、SK海力士、美光初步规划供给英伟达的LPDRAM仅能满足其约六成需求，且上调空间有限，凸显LPDDR5X供给缺口短期内难以填补，中长期需求仍呈上扬趋势。

地里快讯

黄仁勋：三家内存厂商均获HBM4供应资格

相关新闻