辉达执行长黄仁勋证实，SK海力士、三星电子与美光均已通过认证、可供应HBM4高带宽内存，用于下一代AI加速器Vera Rubin；该芯片预计今年秋季出货，接替Blackwell架构。

黄仁勋证实三大内存厂获认证供应HBM4

英伟达CEO黄仁勋表示，三星、SK海力士、美光三家内存制造商均已通过英伟达HBM4高带宽内存的供应资格认证。配合下一代Vera Rubin AI平台进入量产，三家厂商将共同为其供货，标志着英伟达在AI芯片关键的HBM内存环节确立了多供应商格局。

黄仁勋：三家内存厂商均获HBM4供应资格

英伟达CEO黄仁勋在访问韩国期间表示，受AI算力需求爆发推动，全球内存（尤其是用于AI加速器的高带宽内存HBM）短缺将持续数年。为保障下一代Vera Rubin平台的供应，英伟达已完成对三星、SK海力士、美光三大内存厂商的HBM4认证；SK海力士也宣布将大幅扩产DRAM以应对激增的需求。

黄仁勋警告内存短缺将持续数年

三星电子正加速推进下一代高带宽内存HBM4E的研发，计划最早于2026年5月生产出首批样品，并在内部验证后交付英伟达。三星目标是在5月中旬前让代工部门完成HBM4E核心逻辑芯片样品的生产，以争夺AI芯片高端内存市场份额。HBM4E是当前HBM4的增强版，专为下一代AI加速器设计，在带宽和能效方面进一步提升。

三星加速HBM4E研发 拟5月向英伟达交付样品

SK海力士宣布已向英伟达等主要客户率先交付12层HBM4E样品，较原计划提前，在与三星的AI存储竞赛中进一步扩大领先。HBM4E是专为AI工作负载优化的下一代高带宽存储芯片，引脚速率最高达16Gbps，能效较前代提升20%以上，可显著加速大模型训练与推理所需的数据吞吐。

SK海力士率先交付HBM4E样品 领先三星

三星电子全球率先量产的第六代高带宽内存HBM4销售额已突破10亿美元，距今年2月12日首批出货仅4个多月。预计截至6月底，HBM4累计销售额将进一步突破12亿美元。HBM4是专为AI训练与推理加速设计的高性能存储芯片，三星凭借率先量产的先发优势正加速抢占高端存储市场份额。

三星HBM4量产4月销售破10亿美元

SK集团董事长崔泰源在英伟达GTC 2026大会期间透露，SK海力士CEO将公布稳定DRAM价格的新计划。SK海力士在本届GTC上重点展示了第六代高带宽内存HBM4，该产品已进入量产阶段，专为英伟达Vera Rubin平台设计。随着AI技术演进，内存正从单纯的组件升级为决定整个AI基础设施架构和性能的核心要素。

地里快讯

黄仁勋证实三大内存厂获认证供应HBM4

相关新闻