地里快讯

台积电周三展示最新一代芯片制造技术，表示无需采用阿斯麦（ASML）售价高达4亿美元的新一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），即可实现更小、更快的芯片制造。台积电发布了两项技术：A13工艺预计2029年量产，主要面向AI芯片；N2U工艺则是更经济的方案，可用于手机、笔记本及AI芯片。 台积电首席运营官Kevin Zhang表示，公司研发团队在充分挖掘现有EUV设备潜力的同时，制定了激进的技术微缩路线图。此外，台积电还展示了先进封装技术规划：到2028年可将10颗大型芯片与20组高带宽内存（HBM）封装在一起，远超当前英伟达Vera Rubin平台的2颗芯片+8组HBM配置。 分析师认为，这种多芯片封装技术正在延续摩尔定律的生命力，但也带来散热和材料膨胀率差异等新挑战。