地里快讯

阿斯麦（ASML）宣布将与主要客户合作开发新一代光刻方案，目标是满足英伟达等公司设计的大型数据中心芯片需求。目前广泛使用的极紫外（EUV）光刻机可制造面积最大约800平方毫米的芯片；即将推出的下一代高数值孔径（High-NA）EUV设备虽然能刻出更精细的线条，却因掩模版尺寸偏小，在单颗芯片可制造面积上反而受限。 阿斯麦为此计划转向12英寸大尺寸光掩模，称此举可提升晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并消除现有的拼接限制。按路线图，阿斯麦计划2031年展示采用更大掩模版的试验产线，2033年让该技术具备大规模量产能力；台积电目标在2031年前建成12英寸掩模中试生产线，并计划从2030年起在先进节点量产中使用High-NA技术。 三星则计划在2028年前把阿斯麦最顶尖的光刻设备用于DRAM生产。