三星电子计划在韩国器兴（Giheung）新建一座DRAM工厂，规划晶圆月产能约10万片，投资规模预计达数十万亿韩元，项目最快或于第三季度动工。此次扩产旨在应对AI热潮带动的存储芯片需求激增，尤其是HBM高带宽内存市场的持续升温。

三星器兴新建DRAM厂 月产能10万片

韩国政府表示，受AI芯片需求爆发式增长驱动，三星电子与SK海力士须将半导体集群项目的推进时间表大幅提前逾10年。两家公司已就下一阶段投资规模及设施选址向政府寻求协商，据韩国《首尔经济日报》报道，计划在全南及光州地区建设芯片园区，总投资规模逾300万亿韩元（约合2200亿美元）。三星与SK海力士是全球AI存储芯片（HBM）的主要供应商，此次大规模基础设施提速是AI算力爆发式增长推动半导体产业加速扩张的最新写照。

三星SK海力士加速芯片集群建设

SK海力士宣布计划投资80万亿韩元（约515亿美元），在韩国清州市新建NAND闪存芯片工厂M17，以应对AI热潮推动的存储芯片短缺；新厂计划明年动工、预计2029年投产。此外，公司还将追加约20万亿韩元在清州新建一座芯片封装工厂，预计2027年底前完工。据韩联社，三星与SK海力士将合计在忠清地区投入约392万亿韩元，用于HBM封装等先进产能布局。

SK海力士将投80万亿韩元建NAND新厂

SK海力士计划在韩国投入约54万亿韩元（约384亿美元）扩建AI内存产能。其中，清州M17工厂将投资19.1万亿韩元，龙仁园区第二阶段工厂将投资35.2万亿韩元，项目预计于2031年前推进，并用于生产HBM及下一代DRAM等产品。

SK海力士在韩扩建芯片产能

三星电子正考虑在韩国光州建设一座先进半导体封装工厂，以应对全球芯片需求增长。此举旨在扩大其HBM（高带宽内存）产能布局、强化在AI芯片供应链中的地位。据报道，三星预计将于6月29日韩国总统与主要企业集团负责人的会议上正式公布相关投资计划。

三星拟在韩国光州建先进芯片封装厂

韩国央行发布报告称，得益于三星电子和SK海力士持续加码本土产能扩建，韩国在存储芯片产能上的领先优势预计将进一步拉大，其中相对中国厂商的差距扩大尤为明显。韩国央行测算，到2028年陆续投产的新晶圆厂将为韩国每月新增约60万片晶圆产能。在AI需求推动存储芯片供应持续紧张的背景下，这轮扩产将进一步巩固韩系厂商在全球内存市场的地位。

韩国存储芯片产能优势将进一步扩大

三星电子拟将龙仁芯片集群首座半导体工厂的投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年，以更快应对全球AI芯片需求的快速增长。据韩媒报道，该首座晶圆厂月产能目标约100万片。此前三星公布超级项目投资计划，拟向平泽和龙仁两大半导体集群投入2030万亿韩元（约合1.35万亿美元），并另投400万亿韩元在光州新建两座芯片工厂。

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