SK海力士计划在韩国投入约54万亿韩元（约384亿美元）扩建AI内存产能。其中，清州M17工厂将投资19.1万亿韩元，龙仁园区第二阶段工厂将投资35.2万亿韩元，项目预计于2031年前推进，并用于生产HBM及下一代DRAM等产品。

SK海力士在韩扩建芯片产能

SK海力士宣布计划投资80万亿韩元（约515亿美元），在韩国清州市新建NAND闪存芯片工厂M17，以应对AI热潮推动的存储芯片短缺；新厂计划明年动工、预计2029年投产。此外，公司还将追加约20万亿韩元在清州新建一座芯片封装工厂，预计2027年底前完工。据韩联社，三星与SK海力士将合计在忠清地区投入约392万亿韩元，用于HBM封装等先进产能布局。

SK海力士将投80万亿韩元建NAND新厂

SK海力士宣布将投资19万亿韩元（约128.5亿美元）在韩国新建一座先进封装工厂，专门用于生产高带宽内存（HBM）等AI存储芯片，本月正式动工。作为英伟达的核心供应商，SK海力士今年已多次加速产能扩张，包括提前启用韩国境内另一座新存储芯片工厂，以应对全球AI数据中心对存储芯片的持续旺盛需求。

SK海力士斥资128亿美元建AI芯片封装厂

SK海力士计划投入7200亿美元，在韩国建设全球最大内存工厂网络，以满足AI带来的HBM需求。该公司一季度占全球HBM市场58%，并已与英伟达等大客户签署长期供应协议。

SK海力士押注7200亿美元扩建AI内存产能

韩国政府表示，受AI芯片需求爆发式增长驱动，三星电子与SK海力士须将半导体集群项目的推进时间表大幅提前逾10年。两家公司已就下一阶段投资规模及设施选址向政府寻求协商，据韩国《首尔经济日报》报道，计划在全南及光州地区建设芯片园区，总投资规模逾300万亿韩元（约合2200亿美元）。三星与SK海力士是全球AI存储芯片（HBM）的主要供应商，此次大规模基础设施提速是AI算力爆发式增长推动半导体产业加速扩张的最新写照。

三星SK海力士加速芯片集群建设

三星电子计划在韩国器兴（Giheung）新建一座DRAM工厂，规划晶圆月产能约10万片，投资规模预计达数十万亿韩元，项目最快或于第三季度动工。此次扩产旨在应对AI热潮带动的存储芯片需求激增，尤其是HBM高带宽内存市场的持续升温。

三星器兴新建DRAM厂 月产能10万片

英伟达核心供应商SK海力士公布2026财年Q1业绩，营业利润达37.6万亿韩元（约254亿美元），同比暴增406%，符合市场预期。营收52.6万亿韩元，净利润40.3万亿韩元，大幅超出预期的30.4万亿韩元。受AI热潮驱动，DRAM平均售价环比上涨约60%，NAND平均售价环比上涨约70%。公司计划大幅增加资本支出，重点投资HBM4等下一代高带宽内存产能扩建。

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