SK海力士与SanDisk公布业界首个高带宽闪存（HBF）标准，定位于HBM与SSD之间的新存储层，以提升AI系统的数据吞吐与容量。Google和Tenstorrent也已加入相关联盟。

SK海力士与SanDisk发布首个HBF标准

SK海力士与闪迪通过开放计算项目（OCP）发布首个高带宽闪存（HBF）技术规范，旨在为AI推理系统提供更快、更高效的近计算存储。规范涵盖8层和16层NAND堆叠，最高容量512GB，并设置三个带宽等级，传输速度约为0.4TB/s至3.0TB/s。

SK海力士与闪迪发布HBF标准

闪迪（SNDK）高管表示，Meta（META）将加入一个联合团体，共同制定高带宽闪存（HBF）的开放技术标准。HBF是面向AI场景的新型存储技术，旨在以更高带宽、更低成本承接大模型训练与推理带来的海量数据需求。多家存储与科技巨头参与标准共建，被视为推动HBF走向产业化的重要一步，消息公布后相关存储芯片股走强。

闪迪联手Meta等推HBF开放标准

SK海力士宣布已向英伟达等主要客户率先交付12层HBM4E样品，较原计划提前，在与三星的AI存储竞赛中进一步扩大领先。HBM4E是专为AI工作负载优化的下一代高带宽存储芯片，引脚速率最高达16Gbps，能效较前代提升20%以上，可显著加速大模型训练与推理所需的数据吞吐。

SK海力士率先交付HBM4E样品 领先三星

SK海力士在2026年Hot Chips大会上公开了下一代HBM的封装路线图。公司封装工程副总裁Jaesik Lee在题为《高带宽内存的先进封装》的报告中表示，SK海力士正引入包括英特尔EMIB在内的先进封装技术来加速HBM产品迭代，并已在探索混合键合（Hybrid Bonding）等方案，以突破当前16层堆叠的物理上限，最终目标是进入3D封装时代。针对堆叠层数上升带来的功耗挑战，SK海力士计划增加TSV数量、提升逻辑工艺集成的IO速度，并优化电源分配网络（PDN）。同场会议上，三星、美光也各自披露了HBM与3D堆叠方向的进展。

SK海力士下代HBM引入先进封装

高通执行副总裁、技术规划与边缘解决方案及数据中心业务总经理马德嘉在8月26日的媒体采访中，详细介绍了公司押注AI数据中心的HBC（高带宽计算）近存架构。他表示，相比当前主流的HBM方案，HBC能拿到更高的有效带宽和更低的功耗，为破解AI时代的「存储墙」瓶颈提供了另一条路径。HBC被定位成一种灵活的叠加方案：客户用HBC的同时，仍可在另一侧配置其他计算单元分担部分处理任务，以求系统层面的最优解。马德嘉透露，超大规模云服务商对这项技术兴趣浓厚，双方保持深入交流；高通也正与全球主要内存厂商合作推进HBC所需的DRAM堆叠工艺。

高通推HBC近存架构 叫板HBM

三星电子在FMS大会展示V10 Bonding V-NAND原型，采用超过400层结构和晶圆键合架构，存储密度较V9 NAND提高约58%。公司还公布zHBM概念，通过把内存垂直堆叠在AI加速器上缩短数据传输距离；三星称相关技术有望达到传统HBM5逾10倍的存储密度、3倍能效，并将热阻降低一半以上。

地里快讯

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