台积电（TSM）正在开发先进AI芯片封装技术，其方案与英特尔现有技术相似。此举显示台积电正加强先进封装能力，以应对AI芯片市场的竞争。

台积电开发新AI芯片封装技术

据CNBC报道，随着AI硬件需求激增，先进封装技术已成为芯片制造的关键瓶颈。Nvidia大量预订台积电CoWoS产线，台积电正建设新厂扩大封装产能。Intel也在亚利桑那和德州布局封装设施，试图减少对亚洲外包的依赖。行业正从2D向3D封装迈进，以满足AI高速发展的算力需求。

先进封装成AI芯片关键瓶颈，台积电Nvidia加速布局

台积电业务发展高级副总裁张晓强在阿姆斯特丹一场行业会议上表示，AI带来的电力需求激增正让能效（而非单纯算力）成为塑造未来芯片设计的最大约束。无论是手机、IoT 终端还是高性能 AI 数据中心客户，最希望提升的都是能效。台积电预计从当前 N2 工艺到 2028 年前后的 A14 工艺，芯片功耗最多可下降 30%，同时算力提升超过 20%。台积电同时表示晶体管密度仍是路线图核心，但先进封装、3D 堆叠和硅光子等技术正变得越来越重要。台积电为英伟达（NVDA）、AMD 以及谷歌（GOOGL）、亚马逊（AMZN）、Meta、微软（MSFT）等大厂代工 AI 芯片。

台积电：AI能耗倒逼芯片设计 能效成首要指标

台积电周三展示最新一代芯片制造技术，表示无需采用阿斯麦（ASML）售价高达4亿美元的新一代高数值孔径极紫外光刻机（High-NA EUV），即可实现更小、更快的芯片制造。台积电发布了两项技术：A13工艺预计2029年量产，主要面向AI芯片；N2U工艺则是更经济的方案，可用于手机、笔记本及AI芯片。台积电首席运营官Kevin Zhang表示，公司研发团队在充分挖掘现有EUV设备潜力的同时，制定了激进的技术微缩路线图。此外，台积电还展示了先进封装技术规划：到2028年可将10颗大型芯片与20组高带宽内存（HBM）封装在一起，远超当前英伟达Vera Rubin平台的2颗芯片+8组HBM配置。分析师认为，这种多芯片封装技术正在延续摩尔定律的生命力，但也带来散热和材料膨胀率差异等新挑战。

台积电展示新芯片技术 无需ASML昂贵新设备

台积电（TSM）在2026年股东会上对AI前景表示乐观。公司2025年晶圆出货量达1500万片，先进制程节点贡献了74%的晶圆收入。台积电已采购高数值孔径EUV（High-NA EUV）光刻设备用于研发，但因成本较高，目前量产阶段暂不需要，正努力在投产前最大化其效益并降低成本。公司同时表示，虽全力扩充美国产能，但满足美国本土需求仍需较长时间，台湾地区依旧是最大的生产基地；并将自动驾驶与机器人视为长期增长动力。

台积电股东会：AI需求强劲 先进制程占晶圆营收74%

台积电先进封装CoWoS产能持续吃紧，订单已排产至2027年，部分客户拿到产能需要等待一年以上。在这一瓶颈下，英特尔的EMIB-T封装技术作为替代方案正受到关注。联发科在近期财报电话会议上宣布，计划同时采用CoWoS与EMIB-T两条路线，大规模开发人工智能专用芯片（ASIC）；博通与Meta也在评估从CoWoS转向EMIB以降低成本，谷歌和英伟达同样对EMIB-T表现出浓厚兴趣。韩国半导体供应链也在同步推进先进封装环节的多元化布局。

台积电CoWoS排产至2027 客户转投英特尔

台积电（TSM）与其他台湾半导体企业正加大在美国和东南亚的AI相关支出，把先进产能与配套供应链进一步向台湾以外扩张。

同期台湾显示面板厂友达与群创也在押注玻璃基板，将其视为下一代AI芯片的关键材料；台湾外事部门本周还在亚利桑那州设立了新的驻点机构，该州正是台积电美国晶圆厂所在地。

地里快讯

台积电开发新AI芯片封装技术

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